具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510089866.9

申请日：

2015-02-27

公开(公告)号：

CN105990367B

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

J.金 V.蒂瓦里 N.杜 X.刘钱晓州白宁余启文

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27112

IPC分类号：

H01L2711519 H01L2711524 H01L29423 H01L29788

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;陈岚

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-12	授权	授权
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686682335 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2015100898669 申请日:20150227
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P].

横山孝司 ;

冈干生 ;

神田泰夫 .

中国专利 :CN114127943A ,2022-03-01

[2]

非易失性存储器单元阵列 [P].

刘峻 .

中国专利 :CN103238215A ,2013-08-07

[3]

非易失性存储器单元阵列 [P].

W·冯埃姆登 ;

G·坦佩尔 .

中国专利 :CN101075618A ,2007-11-21

[4]

非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法 [P].

增涛·T·刘 ;

戴维·H·威尔士 .

中国专利 :CN103314439B ,2013-09-18

[5]

非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法 [P].

尼玛·穆赫莱斯 .

中国专利 :CN101517707B ,2009-08-26

[6]

非易失性存储器单元、制作方法以及存储器单元阵列 [P].

李岱萤 ;

李明修 ;

赵泽夫 ;

刘致为 .

中国专利 :CN119855159A ,2025-04-18

[7]

具有分段主动区的非易失性存储器单元阵列 [P].

O·D·雷斯特雷波 ;

E·K·班哈特 ;

W·泰勒 .

中国专利 :CN113972259A ,2022-01-25

[8]

具有分段主动区的非易失性存储器单元阵列 [P].

O·D·雷斯特雷波 ;

E·K·班哈特 ;

W·泰勒 .

美国专利 :CN113972259B ,2024-08-23

[9]

非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器 [P].

金正丕 ;

金泰焕 ;

哈利·M·拉奥 .

中国专利 :CN103733260B ,2014-04-16

[10]

用于制造非易失性存储器单元阵列的方法 [P].

T·米勒 ;

K·－H·屈斯特斯 ;

J·维勒 ;

D·奥利格斯 ;

T·米科拉吉克 .

中国专利 :CN1945810A ,2007-04-11

← 1 2 3 4 5 →