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非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201180065042.8
申请日
:
2011-12-22
公开(公告)号
:
CN103314439B
公开(公告)日
:
2013-09-18
发明(设计)人
:
增涛·T·刘
戴维·H·威尔士
申请人
:
申请人地址
:
美国爱达荷州
IPC主分类号
:
H01L27115
IPC分类号
:
H01L218247
代理机构
:
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
:
宋献涛
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2013-09-18
公开
公开
2016-10-12
授权
授权
2013-10-23
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531538988 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2011800650428 申请日:20111222
共 50 条
[1]
非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法
[P].
尼玛·穆赫莱斯
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
尼玛·穆赫莱斯
.
中国专利
:CN101517707B
,2009-08-26
[2]
非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法
[P].
横山孝司
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0
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0
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横山孝司
;
冈干生
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冈干生
;
神田泰夫
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0
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0
神田泰夫
.
中国专利
:CN114127943A
,2022-03-01
[3]
非易失性存储器单元阵列
[P].
刘峻
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0
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0
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0
刘峻
.
中国专利
:CN103238215A
,2013-08-07
[4]
非易失性存储器单元阵列
[P].
W·冯埃姆登
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0
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0
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0
W·冯埃姆登
;
G·坦佩尔
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0
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0
G·坦佩尔
.
中国专利
:CN101075618A
,2007-11-21
[5]
具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列
[P].
J.金
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J.金
;
V.蒂瓦里
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V.蒂瓦里
;
N.杜
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N.杜
;
X.刘
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X.刘
;
钱晓州
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钱晓州
;
白宁
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白宁
;
余启文
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余启文
.
中国专利
:CN105990367B
,2016-10-05
[6]
非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器
[P].
金正丕
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金正丕
;
金泰焕
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金泰焕
;
哈利·M·拉奥
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哈利·M·拉奥
.
中国专利
:CN103733260B
,2014-04-16
[7]
非易失性存储器的存储单元及存储单元阵列
[P].
陈稐寯
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0
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机构:
力旺电子股份有限公司
力旺电子股份有限公司
陈稐寯
;
陈信铭
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机构:
力旺电子股份有限公司
力旺电子股份有限公司
陈信铭
;
何秉隆
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机构:
力旺电子股份有限公司
力旺电子股份有限公司
何秉隆
.
中国专利
:CN120954470A
,2025-11-14
[8]
非易失性存储器单元阵列和形成方法
[P].
杰克·H·元
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0
杰克·H·元
;
雅各布·哈斯凯尔
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0
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0
雅各布·哈斯凯尔
.
中国专利
:CN1263151C
,2003-12-17
[9]
用于制造非易失性存储器单元阵列的方法
[P].
T·米勒
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T·米勒
;
K·-H·屈斯特斯
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K·-H·屈斯特斯
;
J·维勒
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J·维勒
;
D·奥利格斯
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D·奥利格斯
;
T·米科拉吉克
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T·米科拉吉克
.
中国专利
:CN1945810A
,2007-04-11
[10]
非易失性存储器单元与非易失性存储器阵列及其操作方法
[P].
大仓世纪
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大仓世纪
;
林丰
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林丰
.
中国专利
:CN1450644A
,2003-10-22
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