非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法

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专利类型
发明
申请号
CN201180065042.8
申请日
2011-12-22
公开(公告)号
CN103314439B
公开(公告)日
2013-09-18
发明(设计)人
增涛·T·刘 戴维·H·威尔士
申请人
申请人地址
美国爱达荷州
IPC主分类号
H01L27115
IPC分类号
H01L218247
代理机构
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人
宋献涛
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法 [P]. 
尼玛·穆赫莱斯 .
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非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P]. 
横山孝司 ;
冈干生 ;
神田泰夫 .
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[3]
非易失性存储器单元阵列 [P]. 
刘峻 .
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[4]
非易失性存储器单元阵列 [P]. 
W·冯埃姆登 ;
G·坦佩尔 .
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[5]
具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列 [P]. 
J.金 ;
V.蒂瓦里 ;
N.杜 ;
X.刘 ;
钱晓州 ;
白宁 ;
余启文 .
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[6]
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金正丕 ;
金泰焕 ;
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[7]
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陈信铭 ;
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[8]
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[9]
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T·米勒 ;
K·-H·屈斯特斯 ;
J·维勒 ;
D·奥利格斯 ;
T·米科拉吉克 .
中国专利 :CN1945810A ,2007-04-11
[10]
非易失性存储器单元与非易失性存储器阵列及其操作方法 [P]. 
大仓世纪 ;
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