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具有分段主动区的非易失性存储器单元阵列
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110829688.4
申请日
:
2021-07-22
公开(公告)号
:
CN113972259A
公开(公告)日
:
2022-01-25
发明(设计)人
:
O·D·雷斯特雷波
E·K·班哈特
W·泰勒
申请人
:
申请人地址
:
美国纽约州
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2978
H01L21336
H01L27115
代理机构
:
北京戈程知识产权代理有限公司 11314
代理人
:
程伟;王锦阳
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-01-25
公开
公开
2022-02-15
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20210722
共 50 条
[1]
具有分段主动区的非易失性存储器单元阵列
[P].
O·D·雷斯特雷波
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
O·D·雷斯特雷波
;
E·K·班哈特
论文数:
0
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0
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0
机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
E·K·班哈特
;
W·泰勒
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
格芯(美国)集成电路科技有限公司
格芯(美国)集成电路科技有限公司
W·泰勒
.
美国专利
:CN113972259B
,2024-08-23
[2]
非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法
[P].
横山孝司
论文数:
0
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0
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0
横山孝司
;
冈干生
论文数:
0
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0
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0
冈干生
;
神田泰夫
论文数:
0
引用数:
0
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0
神田泰夫
.
中国专利
:CN114127943A
,2022-03-01
[3]
具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列
[P].
J.金
论文数:
0
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0
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0
J.金
;
V.蒂瓦里
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0
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0
V.蒂瓦里
;
N.杜
论文数:
0
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0
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0
N.杜
;
X.刘
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0
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0
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0
X.刘
;
钱晓州
论文数:
0
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0
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0
钱晓州
;
白宁
论文数:
0
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0
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0
白宁
;
余启文
论文数:
0
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0
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0
余启文
.
中国专利
:CN105990367B
,2016-10-05
[4]
非易失性存储器单元阵列
[P].
刘峻
论文数:
0
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0
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0
刘峻
.
中国专利
:CN103238215A
,2013-08-07
[5]
非易失性存储器单元阵列
[P].
W·冯埃姆登
论文数:
0
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0
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0
W·冯埃姆登
;
G·坦佩尔
论文数:
0
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0
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0
G·坦佩尔
.
中国专利
:CN101075618A
,2007-11-21
[6]
非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法
[P].
尼玛·穆赫莱斯
论文数:
0
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0
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0
尼玛·穆赫莱斯
.
中国专利
:CN101517707B
,2009-08-26
[7]
非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法
[P].
增涛·T·刘
论文数:
0
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0
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0
增涛·T·刘
;
戴维·H·威尔士
论文数:
0
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0
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0
戴维·H·威尔士
.
中国专利
:CN103314439B
,2013-09-18
[8]
非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器
[P].
金正丕
论文数:
0
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0
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0
金正丕
;
金泰焕
论文数:
0
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0
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0
金泰焕
;
哈利·M·拉奥
论文数:
0
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0
h-index:
0
哈利·M·拉奥
.
中国专利
:CN103733260B
,2014-04-16
[9]
非易失性存储器单元、制作方法以及存储器单元阵列
[P].
李岱萤
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
旺宏电子股份有限公司
旺宏电子股份有限公司
李岱萤
;
李明修
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0
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0
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机构:
旺宏电子股份有限公司
旺宏电子股份有限公司
李明修
;
赵泽夫
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0
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0
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机构:
旺宏电子股份有限公司
旺宏电子股份有限公司
赵泽夫
;
刘致为
论文数:
0
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0
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机构:
旺宏电子股份有限公司
旺宏电子股份有限公司
刘致为
.
中国专利
:CN119855159A
,2025-04-18
[10]
用于制造非易失性存储器单元阵列的方法
[P].
T·米勒
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0
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0
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0
T·米勒
;
K·-H·屈斯特斯
论文数:
0
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K·-H·屈斯特斯
;
J·维勒
论文数:
0
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J·维勒
;
D·奥利格斯
论文数:
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D·奥利格斯
;
T·米科拉吉克
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0
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T·米科拉吉克
.
中国专利
:CN1945810A
,2007-04-11
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