具有分段主动区的非易失性存储器单元阵列

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110829688.4
申请日
2021-07-22
公开(公告)号
CN113972259A
公开(公告)日
2022-01-25
发明(设计)人
O·D·雷斯特雷波 E·K·班哈特 W·泰勒
申请人
申请人地址
美国纽约州
IPC主分类号
H01L2906
IPC分类号
H01L2978 H01L21336 H01L27115
代理机构
北京戈程知识产权代理有限公司 11314
代理人
程伟;王锦阳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
具有分段主动区的非易失性存储器单元阵列 [P]. 
O·D·雷斯特雷波 ;
E·K·班哈特 ;
W·泰勒 .
美国专利 :CN113972259B ,2024-08-23
[2]
非易失性存储器单元、非易失性存储器单元阵列和非易失性存储器单元阵列的信息写入方法 [P]. 
横山孝司 ;
冈干生 ;
神田泰夫 .
中国专利 :CN114127943A ,2022-03-01
[3]
具有ROM单元的非易失性存储器单元阵列 [P]. 
J.金 ;
V.蒂瓦里 ;
N.杜 ;
X.刘 ;
钱晓州 ;
白宁 ;
余启文 .
中国专利 :CN105990367B ,2016-10-05
[4]
非易失性存储器单元阵列 [P]. 
刘峻 .
中国专利 :CN103238215A ,2013-08-07
[5]
非易失性存储器单元阵列 [P]. 
W·冯埃姆登 ;
G·坦佩尔 .
中国专利 :CN101075618A ,2007-11-21
[6]
非易失性存储器及形成非易失性存储器单元阵列的方法 [P]. 
尼玛·穆赫莱斯 .
中国专利 :CN101517707B ,2009-08-26
[7]
非易失性存储器单元的阵列及形成非易失性存储器单元的阵列的方法 [P]. 
增涛·T·刘 ;
戴维·H·威尔士 .
中国专利 :CN103314439B ,2013-09-18
[8]
非易失性存储器阵列中的保存单元信息的非易失性存储器 [P]. 
金正丕 ;
金泰焕 ;
哈利·M·拉奥 .
中国专利 :CN103733260B ,2014-04-16
[9]
非易失性存储器单元、制作方法以及存储器单元阵列 [P]. 
李岱萤 ;
李明修 ;
赵泽夫 ;
刘致为 .
中国专利 :CN119855159A ,2025-04-18
[10]
用于制造非易失性存储器单元阵列的方法 [P]. 
T·米勒 ;
K·-H·屈斯特斯 ;
J·维勒 ;
D·奥利格斯 ;
T·米科拉吉克 .
中国专利 :CN1945810A ,2007-04-11