BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210081512.6

申请日：

2012-03-23

公开(公告)号：

CN102610506A

公开(公告)日：

2012-07-25

发明(设计)人：

刘建华

申请人：

申请人地址：

200233 上海市徐汇区虹漕路385号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L218249

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101328718174 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012100815126 申请日:20120323
2012-07-25	公开	公开
2015-04-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101713095050 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012100815126 申请公布日:20120725

共 50 条

[1]

BCD工艺中双栅极氧化层的形成方法 [P].

刘建华 ;

吴晓丽 .

中国专利 :CN102254806A ,2011-11-23

[2]

一种BCD工艺中双栅极的形成方法 [P].

刘善善 ;

黄益民 ;

刘统贝 ;

邱锁 .

中国专利 :CN120224761A ,2025-06-27

[3]

双栅极氧化层制作工艺中光刻胶层的重做工艺 [P].

杨林宏 ;

靳颖 ;

吴军 ;

徐亮 .

中国专利 :CN101924029A ,2010-12-22

[4]

BCD工艺中形成衬垫氧化层的方法 [P].

吴亚贞 ;

刘宪周 ;

令海阳 .

中国专利 :CN111276389A ,2020-06-12

[5]

具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法 [P].

高荣正 .

中国专利 :CN1485899A ,2004-03-31

[6]

刻蚀栅极的方法 [P].

王新鹏 ;

黄怡 ;

孟晓莹 ;

沈满华 .

中国专利 :CN102194678A ,2011-09-21

[7]

改善栅极氧化层下埋工艺缺陷的方法 [P].

张朔熙 .

中国专利 :CN120109082A ,2025-06-06

[8]

超高压BCD工艺中的LDMOS结构 [P].

吕宇强 ;

邵凯 ;

陈雪萌 ;

永福 ;

杨海波 .

中国专利 :CN102496627A ,2012-06-13

[9]

堆栈金属栅极的刻蚀方法 [P].

熊磊 ;

奚裴 .

中国专利 :CN102315112A ,2012-01-11

[10]

一种制备栅极氧化层的方法 [P].

张雪琴 ;

罗飞 .

中国专利 :CN103227107A ,2013-07-31

← 1 2 3 4 5 →