具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02143073.X

申请日：

2002-09-27

公开(公告)号：

CN1485899A

公开(公告)日：

2004-03-31

发明(设计)人：

高荣正

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱黎光

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-03-31	公开	公开
2006-07-26	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

混合模拟组件的电容器制造方法 [P].

高荣正 .

中国专利 :CN1256766C ,2004-03-31

[2]

混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法 [P].

高荣正 .

中国专利 :CN1484295A ,2004-03-24

[3]

栅极氧化层的制造方法 [P].

张洪强 ;

彭坤 ;

赵连国 ;

王峰 ;

王海莲 ;

李磊 ;

呼翔 .

中国专利 :CN104576343A ,2015-04-29

[4]

BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法 [P].

刘建华 .

中国专利 :CN102610506A ,2012-07-25

[5]

具有氧化阻挡层的电容器及其制造方法 [P].

吴勋静 ;

金京民 ;

朴钟范 .

中国专利 :CN1272852C ,2004-01-14

[6]

具有金属栅极的半导体器件上的制造电容器方法及电容器 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102956437A ,2013-03-06

[7]

电容器的制造方法 [P].

刘自豪 ;

吕佐文 ;

陈敏腾 .

中国专利 :CN113437050A ,2021-09-24

[8]

电容器的制造方法 [P].

林大成 ;

季明华 .

中国专利 :CN1459840A ,2003-12-03

[9]

具有不同厚度的栅极氧化层的制造方法 [P].

朱岩岩 .

中国专利 :CN104425227A ,2015-03-18

[10]

混合电容器及电容器的制造方法 [P].

维克托·安道尔洛夫 ;

德博拉·萨 ;

亚历山大·格雷罗·丰塞卡 ;

安东尼·P·查科 ;

史亚茹 ;

菲利普·M·莱斯纳 .

中国专利 :CN112424894A ,2021-02-26

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