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混合模拟组件的电容器制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN02143075.6
申请日
:
2002-09-27
公开(公告)号
:
CN1256766C
公开(公告)日
:
2004-03-31
发明(设计)人
:
高荣正
申请人
:
申请人地址
:
201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
IPC主分类号
:
H01L21822
IPC分类号
:
代理机构
:
上海光华专利事务所
代理人
:
余明伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2004-03-31
公开
公开
2004-09-01
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-12-02
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2006-05-17
授权
授权
共 50 条
[1]
混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法
[P].
高荣正
论文数:
0
引用数:
0
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0
高荣正
.
中国专利
:CN1484295A
,2004-03-24
[2]
具有双栅极氧化层的混合模拟组件电容器的制造方法
[P].
高荣正
论文数:
0
引用数:
0
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0
高荣正
.
中国专利
:CN1485899A
,2004-03-31
[3]
电容器的制造方法
[P].
刘自豪
论文数:
0
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刘自豪
;
吕佐文
论文数:
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吕佐文
;
陈敏腾
论文数:
0
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0
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0
陈敏腾
.
中国专利
:CN113437050A
,2021-09-24
[4]
电容器的制备方法
[P].
田范焕
论文数:
0
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0
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田范焕
;
梁时元
论文数:
0
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0
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梁时元
;
白国斌
论文数:
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0
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白国斌
;
高建峰
论文数:
0
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0
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0
高建峰
;
王桂磊
论文数:
0
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0
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王桂磊
;
丁明正
论文数:
0
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0
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0
丁明正
;
丁云凌
论文数:
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0
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丁云凌
.
中国专利
:CN114447221A
,2022-05-06
[5]
混合式集成电路的沟道式电容器的制造方法
[P].
高荣正
论文数:
0
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高荣正
.
中国专利
:CN1549333A
,2004-11-24
[6]
电容器结构以及电容器结构的制造方法
[P].
井口学
论文数:
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
井口学
;
牟田哲也
论文数:
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0
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0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
牟田哲也
.
中国专利
:CN121240471A
,2025-12-30
[7]
一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器
[P].
蔡巧明
论文数:
0
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机构:
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
蔡巧明
;
林宏
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0
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机构:
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
林宏
.
中国专利
:CN115763423B
,2025-09-09
[8]
MIM电容器及其制造方法
[P].
唐丽贤
论文数:
0
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唐丽贤
;
包小燕
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包小燕
;
庄燕萍
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庄燕萍
;
霍燕丽
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霍燕丽
;
杜海
论文数:
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杜海
.
中国专利
:CN104465608A
,2015-03-25
[9]
电容器及其制造方法
[P].
黄智雄
论文数:
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机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
黄智雄
;
徐宁霜
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机构:
南亚科技股份有限公司
南亚科技股份有限公司
徐宁霜
.
中国专利
:CN118119177A
,2024-05-31
[10]
电容器及其制造方法
[P].
金敬锡
论文数:
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金敬锡
;
邢庸宇
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邢庸宇
;
朴栽永
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朴栽永
;
李铉德
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李铉德
;
任基彬
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任基彬
;
李昱烈
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李昱烈
;
李高银
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李高银
;
金永镇
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金永镇
;
南硕祐
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南硕祐
.
中国专利
:CN1873987A
,2006-12-06
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