混合模拟组件的电容器制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN02143075.6
申请日
2002-09-27
公开(公告)号
CN1256766C
公开(公告)日
2004-03-31
发明(设计)人
高荣正
申请人
申请人地址
201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
IPC主分类号
H01L21822
IPC分类号
代理机构
上海光华专利事务所
代理人
余明伟
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
混合模拟组件的沟渠式电容器的制造方法 [P]. 
高荣正 .
中国专利 :CN1484295A ,2004-03-24
[2]
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[3]
电容器的制造方法 [P]. 
刘自豪 ;
吕佐文 ;
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[4]
电容器的制备方法 [P]. 
田范焕 ;
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高建峰 ;
王桂磊 ;
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丁云凌 .
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[5]
混合式集成电路的沟道式电容器的制造方法 [P]. 
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[6]
电容器结构以及电容器结构的制造方法 [P]. 
井口学 ;
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[7]
一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器 [P]. 
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[8]
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[9]
电容器及其制造方法 [P]. 
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[10]
电容器及其制造方法 [P]. 
金敬锡 ;
邢庸宇 ;
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李铉德 ;
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李昱烈 ;
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金永镇 ;
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中国专利 :CN1873987A ,2006-12-06