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测量装置、光刻系统及曝光装置、以及组件制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201680011730.9
申请日：
2016-02-23
公开(公告)号：
CN107250717B
公开(公告)日：
2017-10-13
发明(设计)人：
柴崎祐一
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
G01B1100
IPC分类号：
G03F900 H01L21027
代理机构：
中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038
代理人：
肖靖
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-09-29 授权 授权
2017-11-10 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):G01B 11/00 申请日:20160223
2017-10-13 公开 公开
共 50 条
[1]
测量装置、光刻系统、以及组件制造方法 [P]. 
柴崎祐一 .
中国专利 :CN112068406A ,2020-12-11
[2]
测量装置、光刻系统、曝光装置、测量方法以及曝光方法 [P]. 
柴崎祐一 .
中国专利 :CN111176083A ,2020-05-19
[3]
测量装置、光刻系统及曝光装置、以及管理方法、重迭测量方法及组件制造方法 [P]. 
柴崎祐一 .
中国专利 :CN107250915B ,2017-10-13
[4]
测量、曝光装置及方法，光刻系统，元件制造方法 [P]. 
柴崎祐一 .
中国专利 :CN111290221A ,2020-06-16
[5]
测量装置、曝光装置、光刻系统、测量方法及曝光方法 [P]. 
柴崎祐一 .
中国专利 :CN111176084A ,2020-05-19
[6]
测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法 [P]. 
柴崎祐一 .
中国专利 :CN111208712A ,2020-05-29
[7]
测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法 [P]. 
柴崎祐一 .
日本专利 :CN111208712B ,2025-12-02
[8]
测量装置及方法、光刻系统、曝光装置及方法 [P]. 
柴崎祐一 .
中国专利 :CN111158220A ,2020-05-15
[9]
测量装置及测量方法、曝光装置及曝光方法、以及器件制造方法 [P]. 
上田哲宽 .
中国专利 :CN107407894A ,2017-11-28
[10]
曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法 [P]. 
柴崎祐一 .
中国专利 :CN1950929A ,2007-04-18
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