半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811060371.3

申请日：

2018-09-12

公开(公告)号：

CN109285773A

公开(公告)日：

2019-01-29

发明(设计)人：

李昱廷却玉蓉刘怡良龚昌鸿陈建勋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-24	授权	授权
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20180912
2019-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法 [P].

李亚洲 ;

姚振海 ;

金乐群 ;

居碧玉 ;

徐杰 .

中国专利 :CN115410901A ,2022-11-29

[2]

半导体器件的制造方法 [P].

鲍金玉 .

中国专利 :CN119947223A ,2025-05-06

[3]

半导体器件的制造方法 [P].

康俊龙 ;

成鑫华 ;

郝艳霞 ;

尹俊 ;

聂广宇 .

中国专利 :CN109300782A ,2019-02-01

[4]

半导体器件栅极高度平坦化方法 [P].

李镇全 .

中国专利 :CN109545676B ,2019-03-29

[5]

半导体器件的制造装置及半导体器件的制造方法 [P].

中村理 ;

伊藤恭介 .

中国专利 :CN101013674A ,2007-08-08

[6]

半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

中村和子 .

中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24

[7]

半导体器件、半导体显示器件及半导体器件的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101266982A ,2008-09-17

[8]

一种半导体器件制造方法以及半导体器件 [P].

高斌斌 ;

吴永玉 .

中国专利 :CN121171884A ,2025-12-19

[9]

半导体器件的制造方法 [P].

郑召星 ;

叶彬 ;

沈浩 ;

董天化 .

中国专利 :CN101320709A ,2008-12-10

[10]

半导体器件的制造方法 [P].

向磊 ;

郭莉莉 ;

马莉娜 .

中国专利 :CN112185805A ,2021-01-05

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