半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510039640.1

申请日：

2025-01-09

公开(公告)号：

CN119947223A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

鲍金玉

申请人：

上海华力集成电路制造有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区良腾路6号

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/83

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

赵薇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20250109
2025-05-06	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法 [P].

康俊龙 ;

成鑫华 ;

郝艳霞 ;

尹俊 ;

聂广宇 .

中国专利 :CN109300782A ,2019-02-01

[2]

半导体器件有源区的制造方法 [P].

张超斐 .

中国专利 :CN119965154A ,2025-05-09

[3]

半导体器件制造方法 [P].

李亚洲 ;

姚振海 ;

金乐群 ;

居碧玉 ;

徐杰 .

中国专利 :CN115410901A ,2022-11-29

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

李昱廷 ;

却玉蓉 ;

刘怡良 ;

龚昌鸿 ;

陈建勋 .

中国专利 :CN109285773A ,2019-01-29

[5]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25

[6]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

付志强 ;

施剑华 .

中国专利 :CN115394638A ,2022-11-25

[8]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

欧志文 ;

唐斌 .

中国专利 :CN115064432A ,2022-09-16

[9]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

杨旭刚 ;

田月姣 .

中国专利 :CN119108279A ,2024-12-10

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

陈峰 ;

陈勇树 ;

李晓怡 .

中国专利 :CN117612944B ,2024-10-01

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