半导体器件的制造方法及半导体器件

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申请号
CN202210971522.0
申请日
2022-08-15
公开(公告)号
CN115064432A
公开(公告)日
2022-09-16
发明(设计)人
欧志文 唐斌
申请人
申请人地址
510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
IPC主分类号
H01L2102
IPC分类号
H01L21311
代理机构
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651
代理人
刘婧
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及制造半导体器件的方法 [P]. 
冈本真一 ;
冈崎勉 .
中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08
[2]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
付志强 ;
施剑华 .
中国专利 :CN115394638A ,2022-11-25
[3]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
杨旭刚 ;
田月姣 .
中国专利 :CN119108279A ,2024-12-10
[4]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
陈峰 ;
陈勇树 ;
李晓怡 .
中国专利 :CN117612944B ,2024-10-01
[5]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
陈峰 ;
陈勇树 ;
李晓怡 .
中国专利 :CN117612944A ,2024-02-27
[6]
半导体器件的制造方法及半导体器件 [P]. 
付志强 ;
苏小鹏 .
中国专利 :CN115064437B ,2022-09-16
[7]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25
[8]
半导体器件、半导体器件制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13
[9]
半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P]. 
重岁卓志 .
日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31
[10]
半导体器件及该半导体器件的制造方法 [P]. 
高光永 .
中国专利 :CN1992341A ,2007-07-04