半导体器件的制造方法及半导体器件

被引：0

申请号：

CN202211029354.X

申请日：

2022-08-25

公开(公告)号：

CN115394638A

公开(公告)日：

2022-11-25

发明(设计)人：

付志强施剑华

申请人：

申请人地址：

510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 44651

代理人：

刘婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	公开	公开
2022-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20220825

共 50 条

[1]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

付志强 ;

苏小鹏 .

中国专利 :CN115064437B ,2022-09-16

[2]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

欧志文 ;

唐斌 .

中国专利 :CN115064432A ,2022-09-16

[3]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

杨旭刚 ;

田月姣 .

中国专利 :CN119108279A ,2024-12-10

[4]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

陈峰 ;

陈勇树 ;

李晓怡 .

中国专利 :CN117612944B ,2024-10-01

[5]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

陈峰 ;

陈勇树 ;

李晓怡 .

中国专利 :CN117612944A ,2024-02-27

[6]

半导体器件、半导体器件设备及半导体器件的制造方法 [P].

重岁卓志 .

日本专利 :CN118120055A ,2024-05-31

[7]

半导体器件及该半导体器件的制造方法 [P].

高光永 .

中国专利 :CN1992341A ,2007-07-04

[8]

半导体器件及半导体器件制造方法 [P].

冈本九弘 ;

生云雅光 ;

渡边英二 .

中国专利 :CN1841689A ,2006-10-04

[9]

半导体器件及制造半导体器件的方法 [P].

冈本真一 ;

冈崎勉 .

中国专利 :CN108010911A ,2018-05-08

[10]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

金阳 .

中国专利 :CN115332218A ,2022-11-11

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