堆叠状的光子III-V族半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110330343.4

申请日：

2021-03-19

公开(公告)号：

CN113437167A

公开(公告)日：

2021-09-24

发明(设计)人：

G·施特罗布尔

申请人：

申请人地址：

德国海尔伯隆

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L310216 H01L310304 H01L31103

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

郭毅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-24	公开	公开
2021-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0352 申请日:20210319

共 50 条

[1]

堆叠状的III-V族半导体构件 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN110364565A ,2019-10-22

[2]

堆叠状的III-V半导体构件 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN110034172B ,2019-07-19

[3]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

J·科瓦尔斯基 ;

V·杜德克 ;

R·博贾尼 .

中国专利 :CN114914290A ,2022-08-16

[4]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN110061065A ,2019-07-26

[5]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

德国专利 :CN110061065B ,2024-01-09

[6]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

V·杜德克 .

中国专利 :CN114914289A ,2022-08-16

[7]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

J·科瓦尔斯基 ;

V·杜德克 ;

R·博贾尼 .

德国专利 :CN114914290B ,2024-10-29

[8]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 ;

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

D·富尔曼 ;

T·维尔茨科夫斯基 .

中国专利 :CN114914288A ,2022-08-16

[9]

堆叠状的III-V族半导体半成品和制造方法 [P].

G·施特罗布尔 .

中国专利 :CN111886707A ,2020-11-03

[10]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 ;

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

D·富尔曼 ;

T·维尔茨科夫斯基 .

德国专利 :CN114914288B ,2025-07-04

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