堆叠状的III-V族半导体二极管

被引：0

申请号：

CN202210116254.4

申请日：

2022-02-07

公开(公告)号：

CN114914290A

公开(公告)日：

2022-08-16

发明(设计)人：

J·科瓦尔斯基 V·杜德克 R·博贾尼

申请人：

申请人地址：

德国德累斯顿

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2936 H01L29861

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

郭毅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20220207
2022-08-16	公开	公开

共 50 条

[1]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

V·杜德克 .

中国专利 :CN114914289A ,2022-08-16

[2]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

J·科瓦尔斯基 ;

V·杜德克 ;

R·博贾尼 .

德国专利 :CN114914290B ,2024-10-29

[3]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 ;

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

D·富尔曼 ;

T·维尔茨科夫斯基 .

中国专利 :CN114914288A ,2022-08-16

[4]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 ;

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

D·富尔曼 ;

T·维尔茨科夫斯基 .

德国专利 :CN114914288B ,2025-07-04

[5]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN110061065A ,2019-07-26

[6]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

德国专利 :CN110061065B ,2024-01-09

[7]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN108074970B ,2018-05-25

[8]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN108682694A ,2018-10-19

[9]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN113964193A ,2022-01-21

[10]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

德国专利 :CN113964193B ,2024-03-26

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