III-V族半导体二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111196373.7

申请日：

2017-11-14

公开(公告)号：

CN113964193B

公开(公告)日：

2024-03-26

发明(设计)人：

V·杜德克

申请人：

3-5电力电子有限责任公司

申请人地址：

德国德累斯顿

IPC主分类号：

H01L29/207

IPC分类号：

H01L29/861

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

曾立

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-26	授权	授权

共 50 条

[1]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN108074970B ,2018-05-25

[2]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN108682694A ,2018-10-19

[3]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN113964193A ,2022-01-21

[4]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN108074971A ,2018-05-25

[5]

III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 .

中国专利 :CN108630744A ,2018-10-09

[6]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

J·科瓦尔斯基 ;

V·杜德克 ;

R·博贾尼 .

中国专利 :CN114914290A ,2022-08-16

[7]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

V·杜德克 .

中国专利 :CN114914289A ,2022-08-16

[8]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

J·科瓦尔斯基 ;

V·杜德克 ;

R·博贾尼 .

德国专利 :CN114914290B ,2024-10-29

[9]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 ;

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

D·富尔曼 ;

T·维尔茨科夫斯基 .

中国专利 :CN114914288A ,2022-08-16

[10]

堆叠状的III-V族半导体二极管 [P].

V·杜德克 ;

J·科瓦尔斯基 ;

R·博贾尼 ;

D·富尔曼 ;

T·维尔茨科夫斯基 .

德国专利 :CN114914288B ,2025-07-04

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