半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410043013.3

申请日：

2004-02-27

公开(公告)号：

CN1542909A

公开(公告)日：

2004-11-03

发明(设计)人：

今井馨太郎高山彻后藤裕吾丸山纯矢大野由美子

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;梁永

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-02-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20040227 授权公告日:20080416 终止日期:20180227
2008-04-16	授权	授权
2004-11-03	公开	公开
2006-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

西村隆雄 ;

宇野正 ;

小野寺浩 ;

高岛晃 .

中国专利 :CN1452245A ,2003-10-29

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

西沢元亨 .

中国专利 :CN101256996B ,2008-09-03

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

丸山纯矢 ;

高山彻 ;

后藤裕吾 .

中国专利 :CN1945856B ,2007-04-11

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

本间壮一 .

中国专利 :CN1531076A ,2004-09-22

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

丸山纯矢 ;

高山彻 ;

后藤裕吾 .

中国专利 :CN1288710C ,2003-05-14

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

加藤祯胤 ;

藤泽哲也 ;

佐藤光孝 ;

吉田英治 .

中国专利 :CN101145546A ,2008-03-19

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

平濑顺司 ;

桥本伸 .

中国专利 :CN1034840C ,1994-12-07

[8]

半导体元件及其制造方法,半导体器件及其制造方法 [P].

东和司 ;

塚原法人 ;

米泽隆弘 ;

八木能彦 ;

北山喜文 ;

大谷博之 .

中国专利 :CN1549305A ,2004-11-24

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

山崎舜平 ;

楠本直人 ;

田中幸一郎 .

中国专利 :CN1131341A ,1996-09-18

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

石堂仁则 ;

玉川道昭 ;

岩崎俊宽 .

中国专利 :CN106328607B ,2017-01-11

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