一种制备BiFeO3薄膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910072848.4
申请日
2009-09-10
公开(公告)号
CN101691655A
公开(公告)日
2010-04-07
发明(设计)人
李宜彬 赫晓东 吕宏振
申请人
申请人地址
150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
IPC主分类号
C23C1434
IPC分类号
C23C1408
代理机构
哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109
代理人
荣玲
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种BiFeO3薄膜及其制备方法 [P]. 
陈德杨 ;
孙菲 ;
田国 ;
陈超 ;
邓雄 ;
高兴森 .
中国专利 :CN108565336A ,2018-09-21
[2]
OTS法制备BiFeO3薄膜的方法 [P]. 
谈国强 ;
程蒙 .
中国专利 :CN102560454A ,2012-07-11
[3]
溶胶凝胶法制备BiFeO3薄膜的方法 [P]. 
谈国强 ;
程蒙 .
中国专利 :CN102534587A ,2012-07-04
[4]
BiFeO3靶材及薄膜的制备方法 [P]. 
于军 ;
郑朝丹 ;
王耘波 ;
刘心明 ;
周文利 ;
高俊雄 ;
吴云翼 .
中国专利 :CN101429642A ,2009-05-13
[5]
BiFeO3薄膜的原子层沉积方法 [P]. 
张峰 ;
孙国胜 ;
王雷 ;
赵万顺 ;
刘兴昉 ;
曾一平 .
中国专利 :CN102776486A ,2012-11-14
[6]
图案化BiFeO3薄膜的光刻自组装制备方法 [P]. 
谈国强 ;
王艳 ;
任宣儒 ;
宋亚玉 .
中国专利 :CN102163486B ,2011-08-24
[7]
一种掺杂多铁性BiFeO3薄膜的化学制备方法 [P]. 
王瑶 ;
陈静怡 ;
李静 ;
邓元 .
中国专利 :CN103130281B ,2013-06-05
[8]
一种BiFeO3薄膜电阻存储器结构及其制备方法 [P]. 
陈心满 ;
石旺舟 ;
包定华 ;
王涛 .
中国专利 :CN101728484A ,2010-06-09
[9]
一种提高BiFeO3薄膜磁电耦合效应的退火方法 [P]. 
张丰庆 ;
王玲续 ;
郭晓东 ;
刘慧莹 ;
范素华 .
中国专利 :CN109023313B ,2018-12-18
[10]
一种在Si衬底上制备高(100)取向BiFeO3薄膜的方法 [P]. 
张铭 ;
王光明 ;
李廷先 ;
严辉 ;
宋雪梅 ;
王如志 ;
侯育冬 ;
朱满康 ;
汪浩 ;
王波 .
中国专利 :CN102051582A ,2011-05-11