一种BiFeO3薄膜电阻存储器结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910199163.6

申请日：

2009-11-20

公开(公告)号：

CN101728484A

公开(公告)日：

2010-06-09

发明(设计)人：

陈心满石旺舟包定华王涛

申请人：

申请人地址：

200234 上海市徐汇区桂林路100号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227

代理人：

季申清

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004498093 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2009101991636 申请日:20091120
2012-05-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101365727546 IPC(主分类):H01L 45/00 专利申请号:2009101991636 公开日:20100609
2010-06-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种BiFeO3薄膜及其制备方法 [P].

陈德杨 ;

孙菲 ;

田国 ;

陈超 ;

邓雄 ;

高兴森 .

中国专利 :CN108565336A ,2018-09-21

[2]

一种制备BiFeO3薄膜的方法 [P].

李宜彬 ;

赫晓东 ;

吕宏振 .

中国专利 :CN101691655A ,2010-04-07

[3]

一种基于BiFeO3的阻变存储器及其制备方法 [P].

杨正春 ;

李珍 ;

吴家刚 ;

臧传来 ;

周宝增 ;

李向远 ;

赵金石 ;

张楷亮 .

中国专利 :CN110752290A ,2020-02-04

[4]

一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器及其制备方法 [P].

杨正春 ;

李珍 ;

臧传来 ;

吴家刚 ;

周宝增 ;

赵金石 ;

张楷亮 .

中国专利 :CN110752289A ,2020-02-04

[5]

OTS法制备BiFeO3薄膜的方法 [P].

谈国强 ;

程蒙 .

中国专利 :CN102560454A ,2012-07-11

[6]

利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法 [P].

朱慧 ;

汪鹏飞 ;

冯士维 ;

郭春生 ;

张亚民 .

中国专利 :CN106835052A ,2017-06-13

[7]

溶胶凝胶法制备BiFeO3薄膜的方法 [P].

谈国强 ;

程蒙 .

中国专利 :CN102534587A ,2012-07-04

[8]

一种在Si衬底上制备高（100）取向BiFeO3薄膜的方法 [P].

张铭 ;

王光明 ;

李廷先 ;

严辉 ;

宋雪梅 ;

王如志 ;

侯育冬 ;

朱满康 ;

汪浩 ;

王波 .

中国专利 :CN102051582A ,2011-05-11

[9]

图案化BiFeO3薄膜的光刻自组装制备方法 [P].

谈国强 ;

王艳 ;

任宣儒 ;

宋亚玉 .

中国专利 :CN102163486B ,2011-08-24

[10]

一种电阻转换存储器结构及其制造方法 [P].

张挺 ;

朱南飞 ;

宋志棠 ;

刘波 ;

吴关平 ;

张超 ;

谢志峰 ;

封松林 .

中国专利 :CN102148329B ,2011-08-10

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