利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710246585.9

申请日：

2017-04-16

公开(公告)号：

CN106835052A

公开(公告)日：

2017-06-13

发明(设计)人：

朱慧汪鹏飞冯士维郭春生张亚民

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1408 C23C1402 C23C1404 C23C1458

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

沈波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-13	公开	公开
2017-07-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101731983464 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2017102465859 申请日:20170416
2020-02-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 14/35 申请公布日:20170613

共 50 条

[1]

一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器及其制备方法 [P].

杨正春 ;

李珍 ;

臧传来 ;

吴家刚 ;

周宝增 ;

赵金石 ;

张楷亮 .

中国专利 :CN110752289A ,2020-02-04

[2]

一种基于BiFeO3的阻变存储器及其制备方法 [P].

杨正春 ;

李珍 ;

吴家刚 ;

臧传来 ;

周宝增 ;

李向远 ;

赵金石 ;

张楷亮 .

中国专利 :CN110752290A ,2020-02-04

[3]

BiFeO3靶材及薄膜的制备方法 [P].

于军 ;

郑朝丹 ;

王耘波 ;

刘心明 ;

周文利 ;

高俊雄 ;

吴云翼 .

中国专利 :CN101429642A ,2009-05-13

[4]

一种BiFeO3薄膜电阻存储器结构及其制备方法 [P].

陈心满 ;

石旺舟 ;

包定华 ;

王涛 .

中国专利 :CN101728484A ,2010-06-09

[5]

阻变存储器的钨薄膜制备方法 [P].

陈亮 ;

仇圣棻 ;

杨芸 ;

李晓波 ;

杨瑞鹏 ;

曹恒 .

中国专利 :CN112201748A ,2021-01-08

[6]

生物阻变存储器薄膜的制备方法 [P].

李颖 ;

刘向阳 ;

赵志明 ;

徐雷 ;

武焱旻 ;

雷黎 ;

严富学 ;

任洋 .

中国专利 :CN118284062A ,2024-07-02

[7]

阻变存储器的钨薄膜制备方法 [P].

仇圣棻 .

中国专利 :CN112201748B ,2024-04-16

[8]

阻变存储器以及阻变存储器的制备方法 [P].

高滨 ;

陆禹尧 ;

席悦 ;

杨司瑶 ;

胡若飞 ;

江之行 ;

马呈翔 ;

唐建石 ;

吴华强 ;

钱鹤 .

中国专利 :CN120129457A ,2025-06-10

[9]

阻变存储器和阻变存储器的制备方法 [P].

刘业帆 .

中国专利 :CN117355146A ,2024-01-05

[10]

阻变存储器的制备方法及阻变存储器 [P].

刘力锋 ;

于迪 ;

陈冰 ;

王琰 ;

傅亦晗 ;

韩德栋 ;

王漪 ;

刘晓彦 ;

康晋锋 ;

张兴 .

中国专利 :CN102655211B ,2012-09-05

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