一种基于BiFeO3的阻变存储器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810812949.X

申请日：

2018-07-23

公开(公告)号：

CN110752290A

公开(公告)日：

2020-02-04

发明(设计)人：

杨正春李珍吴家刚臧传来周宝增李向远赵金石张楷亮

申请人：

申请人地址：

300384 天津市西青区宾水西道391号

IPC主分类号：

H01L4500

IPC分类号：

代理机构：

天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214

代理人：

王秀奎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	公开	公开
2020-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20180723

共 50 条

[1]

一种基于MnZn共掺杂BiFeO3薄膜的阻变存储器及其制备方法 [P].

杨正春 ;

李珍 ;

臧传来 ;

吴家刚 ;

周宝增 ;

赵金石 ;

张楷亮 .

中国专利 :CN110752289A ,2020-02-04

[2]

利用射频磁控溅射工艺制备BiFeO3薄膜阻变存储器的方法 [P].

朱慧 ;

汪鹏飞 ;

冯士维 ;

郭春生 ;

张亚民 .

中国专利 :CN106835052A ,2017-06-13

[3]

一种低功耗阻变存储器及其制备方法 [P].

张楷亮 ;

孙阔 ;

王芳 ;

王宝林 ;

冯玉林 ;

赵金石 ;

程文可 ;

关雪 .

中国专利 :CN103296205A ,2013-09-11

[4]

阻变存储器及其制备方法 [P].

蔡一茂 ;

毛俊 ;

武慧薇 ;

黄如 .

中国专利 :CN102891253B ,2013-01-23

[5]

阻变存储器及其制备方法 [P].

蒋秉轩 .

中国专利 :CN106711326A ,2017-05-24

[6]

阻变存储器及其制备方法 [P].

罗庆 ;

吕杭炳 ;

刘明 ;

许晓欣 ;

路程 ;

赵盛杰 .

中国专利 :CN109065712A ,2018-12-21

[7]

阻变存储器及其制备方法 [P].

吕杭炳 ;

刘明 ;

龙世兵 ;

刘琦 .

中国专利 :CN107068860B ,2017-08-18

[8]

阻变存储器及其制备方法 [P].

蔡一茂 ;

毛俊 ;

武慧薇 ;

黄如 .

中国专利 :CN102881824B ,2013-01-16

[9]

阻变存储器及其制备方法 [P].

邹荣 ;

陈昊瑜 ;

王奇伟 .

中国专利 :CN110739395A ,2020-01-31

[10]

基于氧化镓薄膜的阻变存储器及其制备方法 [P].

弭伟 ;

杨正春 ;

吴健文 ;

陈煜婷 ;

李沛君 ;

赵金石 ;

张楷亮 .

中国专利 :CN111785830A ,2020-10-16

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