热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910225029.9

申请日：

2003-09-26

公开(公告)号：

CN101714504B

公开(公告)日：

2010-05-26

发明(设计)人：

中村直人中村严岛田智晴石黑谦一中嶋定夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L21762 H01L21683

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

岳雪兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-26	公开	公开
2019-04-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/00 登记生效日:20190327 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2012-07-04	授权	授权
2010-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004471856 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2009102250299 申请日:20030926

共 50 条

[1]

热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法 [P].

中村直人 ;

中村严 ;

岛田智晴 ;

石黑谦一 ;

中嶋定夫 .

中国专利 :CN1682360B ,2005-10-12

[2]

热处理方法、热处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

前川泰之 ;

小林直之 .

日本专利 :CN117546272A ,2024-02-09

[3]

半导体衬底、半导体衬底的制造方法及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

小出辰彦 ;

中岛宽记 ;

矢内有美 ;

杉田智彦 ;

北川白马 ;

守田峻海 .

中国专利 :CN114188392A ,2022-03-15

[4]

半导体装置的制造方法及热处理装置 [P].

行田幸三 .

中国专利 :CN1263636A ,2000-08-16

[5]

热处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

山崎惠信 ;

林田晃 ;

上野正昭 ;

泉学 ;

野上克明 .

中国专利 :CN102194661A ,2011-09-21

[6]

热处理装置、热处理方法和半导体装置的制造方法 [P].

物种武士 ;

川濑佑介 ;

南竹春彦 ;

巽裕章 ;

金田和德 .

中国专利 :CN110214364A ,2019-09-06

[7]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

[8]

半导体衬底的制造方法及半导体衬底的制造装置 [P].

小俣贵嗣 ;

森若智昭 ;

大沼英人 .

中国专利 :CN101488471B ,2009-07-22

[9]

半导体衬底以及半导体装置的制造方法 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN115579377A ,2023-01-06

[10]

半导体装置的制造方法及半导体衬底 [P].

米田健司 .

中国专利 :CN1577770A ,2005-02-09

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