热处理装置及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110048669.4

申请日：

2011-02-25

公开(公告)号：

CN102194661A

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

山崎惠信林田晃上野正昭泉学野上克明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L2102 H01L2167

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

陈伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	授权	授权
2018-12-18	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/00 登记生效日:20181129 变更事项:专利权人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141110159 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2011100486694 申请日:20110225
2011-09-21	公开	公开

共 50 条

[1]

热处理方法、热处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

前川泰之 ;

小林直之 .

日本专利 :CN117546272A ,2024-02-09

[2]

半导体装置的制造方法及热处理装置 [P].

行田幸三 .

中国专利 :CN1263636A ,2000-08-16

[3]

热处理装置、热处理方法和半导体装置的制造方法 [P].

物种武士 ;

川濑佑介 ;

南竹春彦 ;

巽裕章 ;

金田和德 .

中国专利 :CN110214364A ,2019-09-06

[4]

热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法 [P].

中村直人 ;

中村严 ;

岛田智晴 ;

石黑谦一 ;

中嶋定夫 .

中国专利 :CN101714504B ,2010-05-26

[5]

热处理装置、半导体装置的制造方法及衬底的制造方法 [P].

中村直人 ;

中村严 ;

岛田智晴 ;

石黑谦一 ;

中嶋定夫 .

中国专利 :CN1682360B ,2005-10-12

[6]

热处理设备以及半导体装置制造方法 [P].

土井浩志 ;

柴垣真果 ;

流石勇一 .

中国专利 :CN102473641A ,2012-05-23

[7]

半导体处理用的热处理装置及方法 [P].

石井胜利 ;

高桥丰 ;

长谷川阳成 .

中国专利 :CN1605116A ,2005-04-06

[8]

衬底处理装置及半导体装置的制造方法 [P].

境正宪 ;

加贺谷彻 ;

山崎裕久 .

中国专利 :CN100367459C ,2006-04-19

[9]

基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 [P].

原大介 ;

八幡橘 ;

竹田刚 .

中国专利 :CN112640061A ,2021-04-09

[10]

半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质 [P].

冈田充弘 .

中国专利 :CN107507768A ,2017-12-22

← 1 2 3 4 5 →