双垂直沟道晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010202961.2

申请日：

2010-06-10

公开(公告)号：

CN102194872A

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

任兴华

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京市浩天知识产权代理事务所 11276

代理人：

刘云贵

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141110687 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010102029612 申请日:20100610
2011-09-21	公开	公开
2013-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

垂直双沟道晶体管及其制造方法 [P].

尹恩贞 ;

李成泳 ;

金旻相 ;

金成玟 ;

赵慧珍 .

中国专利 :CN101123275A ,2008-02-13

[2]

超短沟道晶体管及其制造方法 [P].

谢立 ;

张广宇 ;

时东霞 .

中国专利 :CN106653854A ,2017-05-10

[3]

应变沟道晶体管及其制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1905211A ,2007-01-31

[4]

应力沟道晶体管及其制造方法 [P].

陈勇跃 ;

严磊 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN109599440A ,2019-04-09

[5]

双垂直沟道晶体管 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378147B ,2013-10-30

[6]

垂直双沟道绝缘硅晶体管及其制造方法 [P].

金志永 ;

朴珍俊 .

中国专利 :CN1577888A ,2005-02-09

[7]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

永井享浩 .

中国专利 :CN102610612B ,2012-07-25

[8]

垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 [P].

小林平治 ;

永井享浩 .

中国专利 :CN102339831A ,2012-02-01

[9]

垂直晶体管及其制造方法 [P].

尹荣广 .

中国专利 :CN114765210A ,2022-07-19

[10]

半导体装置中的垂直沟道晶体管及其制造方法 [P].

曹允硕 .

中国专利 :CN101546731A ,2009-09-30

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