垂直双沟道晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710139981.8

申请日：

2007-08-07

公开(公告)号：

CN101123275A

公开(公告)日：

2008-02-13

发明(设计)人：

尹恩贞李成泳金旻相金成玟赵慧珍

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27115 H01L21336 H01L218247

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

黄启行;穆德骏

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-09-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101680342364 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2007101399818 申请日:20070807 授权公告日:20110223 终止日期:20150807
2011-02-23	授权	授权
2009-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-02-13	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直双沟道绝缘硅晶体管及其制造方法 [P].

金志永 ;

朴珍俊 .

中国专利 :CN1577888A ,2005-02-09

[2]

双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法 [P].

尹炅一 ;

吴容哲 ;

刘金彪 ;

贺晓彬 ;

王桂磊 ;

丁明正 .

中国专利 :CN111564495A ,2020-08-21

[3]

双沟道晶体管及其制备方法 [P].

赵妙 ;

郑英奎 ;

刘新宇 ;

彭铭曾 ;

李艳奎 ;

欧阳思华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN103681830A ,2014-03-26

[4]

双垂直沟道晶体管及其制造方法 [P].

任兴华 .

中国专利 :CN102194872A ,2011-09-21

[5]

超短沟道晶体管及其制造方法 [P].

谢立 ;

张广宇 ;

时东霞 .

中国专利 :CN106653854A ,2017-05-10

[6]

应变沟道晶体管及其制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1905211A ,2007-01-31

[7]

应力沟道晶体管及其制造方法 [P].

陈勇跃 ;

严磊 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN109599440A ,2019-04-09

[8]

半导体装置中的垂直沟道晶体管及其制造方法 [P].

曹允硕 .

中国专利 :CN101546731A ,2009-09-30

[9]

具有双沟道的薄膜晶体管及其制造方法 [P].

印圣旭 ;

金允基 .

中国专利 :CN1133495A ,1996-10-16

[10]

掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

刘金彪 ;

杨涛 ;

贺晓彬 ;

李俊峰 ;

王垚 .

中国专利 :CN114678357A ,2022-06-28

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