双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010270646.7

申请日：

2020-04-08

公开(公告)号：

CN111564495A

公开(公告)日：

2020-08-21

发明(设计)人：

尹炅一吴容哲刘金彪贺晓彬王桂磊丁明正

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L29423 H01L21336 H01L27108

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

付婧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-21	公开	公开
2020-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200408

共 50 条

[1]

垂直双沟道晶体管及其制造方法 [P].

尹恩贞 ;

李成泳 ;

金旻相 ;

金成玟 ;

赵慧珍 .

中国专利 :CN101123275A ,2008-02-13

[2]

双沟道晶体管及其制备方法 [P].

赵妙 ;

郑英奎 ;

刘新宇 ;

彭铭曾 ;

李艳奎 ;

欧阳思华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN103681830A ,2014-03-26

[3]

垂直双沟道绝缘硅晶体管及其制造方法 [P].

金志永 ;

朴珍俊 .

中国专利 :CN1577888A ,2005-02-09

[4]

掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

刘金彪 ;

杨涛 ;

贺晓彬 ;

李俊峰 ;

王垚 .

中国专利 :CN114678357A ,2022-06-28

[5]

掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

熊文娟 ;

蒋浩杰 ;

李亭亭 ;

崔恒玮 ;

罗英 .

中国专利 :CN114678360A ,2022-06-28

[6]

T型双沟道晶体管及制造方法、半导体器件及制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506738A ,2021-10-15

[7]

T型双沟道晶体管及制造方法、半导体器件及制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506738B ,2025-01-10

[8]

具有双沟道的薄膜晶体管及其制造方法 [P].

印圣旭 ;

金允基 .

中国专利 :CN1133495A ,1996-10-16

[9]

超短沟道晶体管及其制造方法 [P].

谢立 ;

张广宇 ;

时东霞 .

中国专利 :CN106653854A ,2017-05-10

[10]

应变沟道晶体管及其制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1905211A ,2007-01-31

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