T型双沟道晶体管及制造方法、半导体器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110424667.4

申请日：

2021-04-20

公开(公告)号：

CN113506738A

公开(公告)日：

2021-10-15

发明(设计)人：

华文宇王喜龙

申请人：

申请人地址：

314400 浙江省嘉兴市海宁市经济开发区双联路129号天通9号楼5楼

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L27108 H01L2910 H01L2978 H01L218242

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

胡亮;张颖玲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210420
2021-10-15	公开	公开

共 50 条

[1]

T型双沟道晶体管及制造方法、半导体器件及制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506738B ,2025-01-10

[2]

双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法 [P].

尹炅一 ;

吴容哲 ;

刘金彪 ;

贺晓彬 ;

王桂磊 ;

丁明正 .

中国专利 :CN111564495A ,2020-08-21

[3]

L型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506736A ,2021-10-15

[4]

U型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113314422B ,2021-08-27

[5]

L型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506736B ,2024-03-19

[6]

柱形晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506737A ,2021-10-15

[7]

双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113314421A ,2021-08-27

[8]

垂直双沟道晶体管及其制造方法 [P].

尹恩贞 ;

李成泳 ;

金旻相 ;

金成玟 ;

赵慧珍 .

中国专利 :CN101123275A ,2008-02-13

[9]

凹形沟道阵列晶体管、半导体器件及其制造方法 [P].

柳正道 ;

金东赞 ;

郑圣勋 ;

崔时荣 ;

申裕均 ;

朴泰绪 ;

柳宗烈 ;

姜宗勋 .

中国专利 :CN101714550B ,2010-05-26

[10]

垂直双沟道绝缘硅晶体管及其制造方法 [P].

金志永 ;

朴珍俊 .

中国专利 :CN1577888A ,2005-02-09

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