柱形晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN202110422036.9
申请日
2021-04-20
公开(公告)号
CN113506737A
公开(公告)日
2021-10-15
发明(设计)人
华文宇 王喜龙
申请人
申请人地址
314400 浙江省嘉兴市海宁市经济开发区双联路129号天通9号楼5楼
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L27108 H01L2978 H01L218242
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
胡亮;张颖玲
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
华文宇 ;
王喜龙 .
中国专利 :CN113314421A ,2021-08-27
[2]
L型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
华文宇 ;
王喜龙 .
中国专利 :CN113506736A ,2021-10-15
[3]
L型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
华文宇 ;
王喜龙 .
中国专利 :CN113506736B ,2024-03-19
[4]
U型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
华文宇 ;
王喜龙 .
中国专利 :CN113314422B ,2021-08-27
[5]
晶体管阵列及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
华文宇 ;
骆中伟 ;
张帜 .
中国专利 :CN113611665B ,2024-08-02
[6]
晶体管阵列及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P]. 
华文宇 ;
骆中伟 ;
张帜 .
中国专利 :CN113611665A ,2021-11-05
[7]
半导体器件、晶体管及其制造方法 [P]. 
黄庆坤 ;
林士哲 ;
尤宏志 .
中国专利 :CN103515423A ,2014-01-15
[8]
半导体器件、晶体管及其制造方法 [P]. 
黄庆坤 ;
林士哲 ;
尤宏志 .
中国专利 :CN110085667B ,2019-08-02
[9]
半导体结构及其制造方法、晶体管及其制造方法 [P]. 
沈宇桐 .
中国专利 :CN116072717B ,2025-08-26
[10]
晶体管及其制造方法、半导体结构及其制造方法 [P]. 
甘程 ;
王欣 ;
孙超 .
中国专利 :CN115132829A ,2022-09-30