半导体结构及其制造方法、晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111269573.0

申请日：

2021-10-29

公开(公告)号：

CN116072717B

公开(公告)日：

2025-08-26

发明(设计)人：

沈宇桐

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10D64/68

IPC分类号：

H01L21/28 H10D30/60 H10D30/01

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-26	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体管及其制造方法、半导体结构及其制造方法 [P].

甘程 ;

王欣 ;

孙超 .

中国专利 :CN115132829A ,2022-09-30

[2]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN108447775B ,2018-08-24

[3]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN104733515A ,2015-06-24

[4]

薄膜晶体管及其制造方法,以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN101814529A ,2010-08-25

[5]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN115332053A ,2022-11-11

[6]

纵向晶体管及其制造方法 [P].

叶佳俊 ;

陈蔚宗 ;

徐振航 ;

辛哲宏 .

中国专利 :CN104465390A ,2015-03-25

[7]

柱形晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506737A ,2021-10-15

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘良明 ;

陈彦儒 .

中国专利 :CN119815880A ,2025-04-11

[9]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

朴星奎 ;

田盛弼 ;

金永薰 ;

朴宝娟 .

韩国专利 :CN117525162A ,2024-02-06

[10]

金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

曹博昭 ;

黄昌琪 ;

陈铭聪 ;

江怡颖 ;

张毓蓝 ;

李忠儒 ;

吴至宁 ;

廖宽仰 .

中国专利 :CN1941409A ,2007-04-04

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