薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810285306.4

申请日：

2010-02-10

公开(公告)号：

CN108447775B

公开(公告)日：

2018-08-24

发明(设计)人：

今藤敏和岸田英幸

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21477 H01L2712 H01L2924 H01L2945 H01L2949 H01L29786

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

刘倜

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-24	公开	公开
2018-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20100210
2022-09-13	授权	授权

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN104733515A ,2015-06-24

[2]

薄膜晶体管及其制造方法,以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN101814529A ,2010-08-25

[3]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN115332053A ,2022-11-11

[4]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

朴星奎 ;

田盛弼 ;

金永薰 ;

朴宝娟 .

韩国专利 :CN117525162A ,2024-02-06

[5]

半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法 [P].

西村麻美 ;

川岛绘美 ;

笠见雅司 ;

松浦正英 ;

糸濑将之 .

中国专利 :CN103155154A ,2013-06-12

[6]

薄膜晶体管及其制造方法以及具有所述薄膜晶体管的半导体装置 [P].

浦冈行治 ;

山崎遥 ;

藤井茉美 ;

高桥英治 .

中国专利 :CN108369962A ,2018-08-03

[7]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

菊池亨 ;

大园修司 ;

太田淳 ;

座间秀昭 ;

浅利伸 .

中国专利 :CN111052397A ,2020-04-21

[8]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李志隆 ;

施博理 .

中国专利 :CN104253158B ,2014-12-31

[9]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

刘恩池 ;

黄金海 ;

康豊鑫 ;

黄彦余 .

中国专利 :CN107516634A ,2017-12-26

[10]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

森田达夫 ;

罗伯特·J·马库纳斯 .

中国专利 :CN1136223A ,1996-11-20

← 1 2 3 4 5 →