半导体薄膜、薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180048961.4

申请日：

2011-10-11

公开(公告)号：

CN103155154A

公开(公告)日：

2013-06-12

发明(设计)人：

西村麻美川岛绘美笠见雅司松浦正英糸濑将之

申请人：

申请人地址：

日本国东京都

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L21336 H01L21363

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-12	公开	公开
2016-10-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101740233685 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2011800489614 申请公布日:20130612
2013-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101535534207 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2011800489614 申请日:20111011

共 50 条

[1]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN108447775B ,2018-08-24

[2]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN104733515A ,2015-06-24

[3]

薄膜晶体管及其制造方法,以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN101814529A ,2010-08-25

[4]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN115332053A ,2022-11-11

[5]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

古田守 ;

平尾孝 ;

古田宽 ;

松田时宜 ;

平松孝浩 ;

石井裕满 ;

保刈一志 ;

吉田基彦 .

中国专利 :CN101326644A ,2008-12-17

[6]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

刘恩池 ;

黄金海 ;

康豊鑫 ;

黄彦余 .

中国专利 :CN107516634A ,2017-12-26

[7]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

郑淳护 .

中国专利 :CN104916701A ,2015-09-16

[8]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

冉晓雯 ;

蔡娟娟 ;

廖峻宏 ;

陈蔚宗 .

中国专利 :CN103165679B ,2013-06-19

[9]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

林亮宇 ;

郑君丞 .

中国专利 :CN103633147A ,2014-03-12

[10]

薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李刘中 ;

陈佳榆 .

中国专利 :CN102593184A ,2012-07-18

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