晶体管及其制造方法、半导体结构及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202210645856.9

申请日：

2022-06-08

公开(公告)号：

CN115132829A

公开(公告)日：

2022-09-30

发明(设计)人：

甘程王欣孙超

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L2906 H01L2978 H01L27088 H01L218239 H01L21336

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

徐雯;蒋雅洁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法、晶体管及其制造方法 [P].

沈宇桐 .

中国专利 :CN116072717B ,2025-08-26

[2]

柱形晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506737A ,2021-10-15

[3]

晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477953A ,2009-07-08

[4]

双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113314421A ,2021-08-27

[5]

L型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506736A ,2021-10-15

[6]

L型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506736B ,2024-03-19

[7]

U型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113314422B ,2021-08-27

[8]

半导体功率晶体管及其制造方法 [P].

刘伟 ;

袁愿林 ;

毛振东 ;

刘磊 .

中国专利 :CN111146285A ,2020-05-12

[9]

高压半导体晶体管及其制造方法 [P].

苏如意 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 ;

霍克孝 ;

沈佳青 ;

黄柏晟 ;

郑志昌 ;

柳瑞兴 ;

段孝勤 .

中国专利 :CN102214692B ,2011-10-12

[10]

半导体装置、晶体管及其制造方法 [P].

陈巨峰 ;

罗宗仁 ;

郭百钧 ;

宋建宪 ;

阙华君 ;

林安宏 .

中国专利 :CN101635260A ,2010-01-27

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