半导体装置、晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810134089.5

申请日：

2008-07-24

公开(公告)号：

CN101635260A

公开(公告)日：

2010-01-27

发明(设计)人：

陈巨峰罗宗仁郭百钧宋建宪阙华君林安宏

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L218238 H01L2184 H01L27092 H01L2712

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

任默闻

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-01-27	公开	公开
2012-04-04	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置的晶体管及其制造方法 [P].

姜春守 .

中国专利 :CN101335269A ,2008-12-31

[2]

晶体管及半导体装置 [P].

余治宽 ;

洪昇晖 ;

洪丰基 ;

许文义 ;

刘人诚 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN220400594U ,2024-01-26

[3]

晶体管及半导体装置 [P].

陈奕寰 ;

袁焕之 ;

钟于彰 ;

叶云田 ;

陈斐筠 ;

陈逸豪 ;

周庭暐 .

中国专利 :CN220692029U ,2024-03-29

[4]

晶体管及半导体装置 [P].

津吹将志 .

中国专利 :CN103137701B ,2013-06-05

[5]

晶体管及半导体装置 [P].

B·帕德玛纳伯翰 ;

P·温卡特拉曼 ;

G·M·格利瓦纳 .

中国专利 :CN203932067U ,2014-11-05

[6]

半导体功率晶体管及其制造方法 [P].

刘伟 ;

袁愿林 ;

毛振东 ;

刘磊 .

中国专利 :CN111146285A ,2020-05-12

[7]

高压半导体晶体管及其制造方法 [P].

苏如意 ;

杨富智 ;

蔡俊琳 ;

霍克孝 ;

沈佳青 ;

黄柏晟 ;

郑志昌 ;

柳瑞兴 ;

段孝勤 .

中国专利 :CN102214692B ,2011-10-12

[8]

侧壁半导体晶体管及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

L·A·克莱文格 ;

O·H·多库马奇 ;

K·A·库马尔 ;

C·J·拉登斯 ;

D·奇丹巴拉奥 .

中国专利 :CN100466287C ,2006-06-21

[9]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN108447775B ,2018-08-24

[10]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN104733515A ,2015-06-24

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