晶体管及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210475836.8

申请日：

2012-11-21

公开(公告)号：

CN103137701B

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

津吹将志

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L2941

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

侯颖媖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587653865 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012104758368 申请日:20121121
2013-06-05	公开	公开
2018-01-19	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体管及半导体装置 [P].

余治宽 ;

洪昇晖 ;

洪丰基 ;

许文义 ;

刘人诚 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN220400594U ,2024-01-26

[2]

晶体管及半导体装置 [P].

陈奕寰 ;

袁焕之 ;

钟于彰 ;

叶云田 ;

陈斐筠 ;

陈逸豪 ;

周庭暐 .

中国专利 :CN220692029U ,2024-03-29

[3]

晶体管及半导体装置 [P].

B·帕德玛纳伯翰 ;

P·温卡特拉曼 ;

G·M·格利瓦纳 .

中国专利 :CN203932067U ,2014-11-05

[4]

薄膜晶体管及半导体装置 [P].

乡户宏充 ;

宫入秀和 .

中国专利 :CN101478004A ,2009-07-08

[5]

半导体装置以及晶体管 [P].

中泽安孝 ;

肥塚纯一 ;

羽持贵士 .

中国专利 :CN114068724A ,2022-02-18

[6]

半导体装置以及晶体管 [P].

中泽安孝 ;

肥塚纯一 ;

羽持贵士 .

中国专利 :CN114068723A ,2022-02-18

[7]

晶体管以及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

坂仓真之 .

中国专利 :CN106165106A ,2016-11-23

[8]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN108447775B ,2018-08-24

[9]

薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN104733515A ,2015-06-24

[10]

薄膜晶体管及其制造方法,以及半导体装置 [P].

今藤敏和 ;

岸田英幸 .

中国专利 :CN101814529A ,2010-08-25

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