晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810190859.8

申请日：

2008-12-31

公开(公告)号：

CN101477953A

公开(公告)日：

2009-07-08

发明(设计)人：

李文荣

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

李丙林;张英

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101076740499 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2008101908598 公开日:20090708
2009-07-08	公开	公开
2009-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

沟槽晶体管及其制造方法 [P].

张炳琸 ;

尹汝祚 .

中国专利 :CN101383377A ,2009-03-11

[2]

静电放电保护晶体管及其制造方法 [P].

胡剑 .

中国专利 :CN101640199A ,2010-02-03

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111048418A ,2020-04-21

[4]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101393870A ,2009-03-25

[5]

晶体管及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102468166A ,2012-05-23

[6]

沟槽型MOS晶体管及其制造方法 [P].

苟鸿雁 .

中国专利 :CN102569406A ,2012-07-11

[7]

晶体管及其制造方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN104752200A ,2015-07-01

[8]

晶体管及其制造方法 [P].

上野哲嗣 ;

申东石 ;

李化成 ;

李浩 ;

李承换 .

中国专利 :CN100477264C ,2006-02-22

[9]

晶体管及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102468165A ,2012-05-23

[10]

晶体管及其制造方法 [P].

徐文植 .

中国专利 :CN1702875A ,2005-11-30

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