晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510054446.3

申请日：

2005-03-10

公开(公告)号：

CN1702875A

公开(公告)日：

2005-11-30

发明(设计)人：

徐文植

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L27108 H01L21336 H01L218242

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒;魏晓刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20050310 授权公告日:20080730 终止日期:20170310
2005-11-30	公开	公开
2006-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-30	授权	授权

共 50 条

[1]

晶体管及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102468166A ,2012-05-23

[2]

晶体管及其制造方法 [P].

上野哲嗣 ;

申东石 ;

李化成 ;

李浩 ;

李承换 .

中国专利 :CN100477264C ,2006-02-22

[3]

晶体管及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102468165A ,2012-05-23

[4]

晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477953A ,2009-07-08

[5]

晶体管及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

骆志炯 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN102403226B ,2012-04-04

[6]

晶体管及其制造方法 [P].

上野哲嗣 ;

李化成 ;

李浩 ;

申东石 ;

李承换 .

中国专利 :CN1790743A ,2006-06-21

[7]

晶体管及其制造方法 [P].

尹海洲 ;

朱慧珑 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN102468164A ,2012-05-23

[8]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李东勋 .

中国专利 :CN1399319A ,2003-02-26

[9]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

李文荣 .

中国专利 :CN101477952A ,2009-07-08

[10]

MOS晶体管及其制造方法 [P].

金廷澔 .

中国专利 :CN101393870A ,2009-03-25

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