双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110423143.3

申请日：

2021-04-20

公开(公告)号：

CN113314421A

公开(公告)日：

2021-08-27

发明(设计)人：

华文宇王喜龙

申请人：

申请人地址：

314400 浙江省嘉兴市海宁市经济开发区双联路129号天通9号楼5楼

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L27108 H01L2908 H01L2910 H01L2978 H01L218242

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

胡亮;张颖玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-27	公开	公开
2021-09-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20210420

共 50 条

[1]

柱形晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506737A ,2021-10-15

[2]

双栅极晶体管及其制造方法 [P].

延·索斯基 ;

米切尔·J·范杜雷 .

中国专利 :CN101467235A ,2009-06-24

[3]

双栅极晶体管及其制造方法 [P].

安德烈亚斯·布赖恩特 ;

米凯·耶昂 ;

K·保罗·马勒 ;

爱德华·J·诺瓦克 ;

戴维·M·弗里德 ;

杰德·兰金 .

中国专利 :CN1272855C ,2004-08-04

[4]

L型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506736A ,2021-10-15

[5]

L型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113506736B ,2024-03-19

[6]

U型晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113314422B ,2021-08-27

[7]

晶体管阵列及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

骆中伟 ;

张帜 .

中国专利 :CN113611665B ,2024-08-02

[8]

晶体管阵列及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

骆中伟 ;

张帜 .

中国专利 :CN113611665A ,2021-11-05

[9]

半导体器件、晶体管及其制造方法 [P].

黄庆坤 ;

林士哲 ;

尤宏志 .

中国专利 :CN103515423A ,2014-01-15

[10]

半导体器件、晶体管及其制造方法 [P].

黄庆坤 ;

林士哲 ;

尤宏志 .

中国专利 :CN110085667B ,2019-08-02

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