双栅极晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02812298.4

申请日：

2002-06-06

公开(公告)号：

CN1272855C

公开(公告)日：

2004-08-04

发明(设计)人：

安德烈亚斯·布赖恩特米凯·耶昂 K·保罗·马勒爱德华·J·诺瓦克戴维·M·弗里德杰德·兰金

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L29786 H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/49 登记生效日:20171127 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约州变更后权利人:美国纽约
2004-08-04	公开	公开
2004-10-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-08-30	授权	授权
2020-05-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/49 申请日:20020606 授权公告日:20060830 终止日期:20190606

共 50 条

[1]

双栅极晶体管及其制造方法 [P].

延·索斯基 ;

米切尔·J·范杜雷 .

中国专利 :CN101467235A ,2009-06-24

[2]

双栅极晶体管及其制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

华文宇 ;

王喜龙 .

中国专利 :CN113314421A ,2021-08-27

[3]

双栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

K·K·钱 ;

G·M·科昂 ;

M·莱昂 ;

R·A·罗伊 ;

P·M·所罗门 ;

杨敏 .

中国专利 :CN100337334C ,2004-07-07

[4]

双栅极晶体管及应用此双栅极晶体管的像素结构 [P].

梁中瑜 ;

甘丰源 ;

张鼎张 .

中国专利 :CN101013725A ,2007-08-08

[5]

双栅极沟槽式功率晶体管及其制造方法 [P].

李柏贤 ;

林家福 ;

陈家承 ;

林伟捷 .

中国专利 :CN106549056B ,2017-03-29

[6]

双栅极导体晶体管及相关方法 [P].

T·K·卡斯特罗 ;

M·A·祖尼加 ;

B·法特米扎德赫 ;

A·布兰德 ;

J·夏 ;

R·辛格 ;

M·徐 ;

C-N·倪 .

中国专利 :CN112236864B ,2021-01-15

[7]

双栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

P·M·所罗门 ;

K·K·钱 ;

H·I·哈纳菲 .

中国专利 :CN1531103A ,2004-09-22

[8]

双栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

O·H·多库马奇 ;

B·B·多里斯 ;

S·G·赫格德 ;

M·莱昂 ;

E·C·琼斯 .

中国专利 :CN1282233C ,2004-08-25

[9]

突出栅极晶体管及其制造方法 [P].

尹炅一 ;

吴容哲 .

中国专利 :CN112786690A ,2021-05-11

[10]

双栅极晶体管 [P].

梁中瑜 ;

甘丰源 ;

张鼎张 .

中国专利 :CN1885563A ,2006-12-27

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