双栅极场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200310121567.6

申请日：

2003-12-22

公开(公告)号：

CN1531103A

公开(公告)日：

2004-09-22

发明(设计)人：

P·M·所罗门 K·K·钱 H·I·哈纳菲

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L2978 H01L21335 H01L21336

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;李峥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-09-22	公开	公开
2017-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/772 登记生效日:20171107 变更事项:专利权人变更前权利人:国际商业机器公司变更后权利人:格芯美国第二有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:美国纽约
2004-12-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-11-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/772 登记生效日:20171107 变更事项:专利权人变更前权利人:格芯美国第二有限责任公司变更后权利人:格芯公司变更事项:地址变更前权利人:美国纽约变更后权利人:开曼群岛大开曼岛
2019-12-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/772 申请日:20031222 授权公告日:20070110 终止日期:20181222
2007-01-10	授权	授权

共 50 条

[1]

双栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

K·K·钱 ;

G·M·科昂 ;

M·莱昂 ;

R·A·罗伊 ;

P·M·所罗门 ;

杨敏 .

中国专利 :CN100337334C ,2004-07-07

[2]

双栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

O·H·多库马奇 ;

B·B·多里斯 ;

S·G·赫格德 ;

M·莱昂 ;

E·C·琼斯 .

中国专利 :CN1282233C ,2004-08-25

[3]

双栅极石墨烯场效应晶体管及其制造方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN107230632A ,2017-10-03

[4]

双栅极场效应晶体管 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101894864B ,2010-11-24

[5]

双栅极场效应晶体管和生产双栅极场效应晶体管的方法 [P].

D·M·德里兀 ;

P·A·范哈尔 ;

G·T·霍夫特 .

中国专利 :CN102203974A ,2011-09-28

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

安浩均 ;

林钟元 ;

文载京 ;

池弘九 ;

张宇镇 ;

金海天 .

中国专利 :CN1960002A ,2007-05-09

[7]

垂直双栅极场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

M·C·哈基 ;

S·J·霍姆斯 ;

D·V·霍拉克 ;

J·M·里斯 ;

W·H·L·马 ;

P·A·拉比杜 .

中国专利 :CN1547776A ,2004-11-17

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

万光星 ;

黄威森 .

中国专利 :CN115702487A ,2023-02-14

[9]

多栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103187446A ,2013-07-03

[10]

多栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103367432B ,2013-10-23

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