场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610107592.2

申请日：

2006-07-26

公开(公告)号：

CN1960002A

公开(公告)日：

2007-05-09

发明(设计)人：

安浩均林钟元文载京池弘九张宇镇金海天

申请人：

申请人地址：

韩国大田市

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

H01L29423 H01L21335 H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-05-09	公开	公开
2014-09-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101586967654 IPC(主分类):H01L 29/772 专利号:ZL2006101075922 申请日:20060726 授权公告日:20090729 终止日期:20130726
2009-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

手塚勉 ;

丰田英二 .

中国专利 :CN101404257A ,2009-04-08

[2]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

木下敦宽 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN1909247A ,2007-02-07

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李忠湖 ;

尹在万 ;

朴东健 ;

李哲 .

中国专利 :CN100492604C ,2005-08-31

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

赫尔穆特·布雷克 .

中国专利 :CN1672263A ,2005-09-21

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

D·曼杰 ;

T·施洛瑟 .

中国专利 :CN1971946A ,2007-05-30

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

星真一 ;

伊藤正纪 ;

大来英之 ;

丸井俊治 .

中国专利 :CN101308796A ,2008-11-19

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1262017C ,2001-04-04

[9]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

藤森正成 ;

桥诘富博 ;

安藤正彦 .

中国专利 :CN100559625C ,2007-10-31

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101162731A ,2008-04-16

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