双栅极场效应晶体管和生产双栅极场效应晶体管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980143216.0

申请日：

2009-10-26

公开(公告)号：

CN102203974A

公开(公告)日：

2011-09-28

发明(设计)人：

D·M·德里兀 P·A·范哈尔 G·T·霍夫特

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L5105

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈松涛;王英

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-28	公开	公开
2011-12-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101153709512 IPC(主分类):H01L 51/05 专利申请号:2009801432160 申请日:20091026
2014-01-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101686141277 IPC(主分类):H01L 51/05 专利申请号:2009801432160 申请公布日:20110928

共 50 条

[1]

双栅极场效应晶体管 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101894864B ,2010-11-24

[2]

垂直双栅极场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

M·C·哈基 ;

S·J·霍姆斯 ;

D·V·霍拉克 ;

J·M·里斯 ;

W·H·L·马 ;

P·A·拉比杜 .

中国专利 :CN1547776A ,2004-11-17

[3]

形成双栅极场效应晶体管的方法 [P].

詹姆斯·W·阿基森 ;

保罗·D·阿格尼洛 ;

阿恩·W·巴兰坦 ;

拉马·迪瓦卡鲁尼 ;

埃林·C·琼斯 ;

爱德华·J·诺瓦克 ;

杰德·H·兰金 .

中国专利 :CN100530567C ,2002-05-15

[4]

场效应晶体管 [P].

野本和正 .

中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31

[5]

环绕栅极场效应晶体管 [P].

古川俊治 ;

马克·C·黑基 ;

戴维·V·霍勒克 ;

查尔斯·W·科伯格第三 ;

彼得·H·米切尔 .

中国专利 :CN100568465C ,2005-06-15

[6]

场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法 [P].

亚尔马·E·A·胡伊特马 ;

巴尔特-亨德里克·胡伊斯曼 .

中国专利 :CN1791990B ,2006-06-21

[7]

屏蔽栅极场效应晶体管 [P].

P·A·布尔克 ;

D·E·普罗布斯特 ;

S·J·霍赛 .

中国专利 :CN208767305U ,2019-04-19

[8]

场效应晶体管 [P].

李珉贤 ;

薛珉洙 ;

赵连柱 ;

申铉振 .

中国专利 :CN113497138A ,2021-10-12

[9]

场效应晶体管 [P].

小桥昌浩 ;

半田敬信 ;

荒牧晋司 ;

酒井良正 .

中国专利 :CN100594617C ,2005-09-21

[10]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

← 1 2 3 4 5 →