场效应晶体管布置和场效应晶体管布置的制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200480013708.5
申请日
2004-05-13
公开(公告)号
CN1791990B
公开(公告)日
2006-06-21
发明(设计)人
亚尔马·E·A·胡伊特马 巴尔特-亨德里克·胡伊斯曼
申请人
申请人地址
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号
H01L5140
IPC分类号
H01L5105 H01L2728
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
王英
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
场效应晶体管 [P]. 
坂直树 ;
冈元大作 ;
田中秀树 .
中国专利 :CN113972280A ,2022-01-25
[2]
场效应晶体管 [P]. 
野本和正 .
中国专利 :CN1905230A ,2007-01-31
[3]
场效应晶体管 [P]. 
桑原博一 ;
池田征明 ;
泷宫和男 .
中国专利 :CN102333780A ,2012-01-25
[4]
场效应晶体管 [P]. 
田中健一郎 ;
上田哲三 .
中国专利 :CN103003930B ,2013-03-27
[5]
场效应晶体管 [P]. 
天清宗山 ;
户塚正裕 .
中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06
[6]
场效应晶体管 [P]. 
R·M·贝里格伦 ;
B·G·古斯塔夫松 ;
J·R·A·卡尔松 .
中国专利 :CN1210808C ,2001-05-02
[7]
场效应晶体管 [P]. 
井腰文智 ;
桥诘真吾 ;
引田正洋 ;
山际优人 ;
柳原学 .
中国专利 :CN102194866A ,2011-09-21
[8]
场效应晶体管 [P]. 
胁田尚英 ;
田中健一郎 ;
石田昌宏 ;
田村聪之 ;
柴田大辅 .
中国专利 :CN103038869B ,2013-04-10
[9]
场效应晶体管 [P]. 
荒牧晋司 ;
芳山龙一 ;
大野玲 ;
酒井良正 .
中国专利 :CN101032031A ,2007-09-05
[10]
场效应晶体管 [P]. 
竹村保彦 .
中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27