多栅极场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210101625.8

申请日：

2012-03-31

公开(公告)号：

CN103367432B

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

鲍宇

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-03	授权	授权
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542123049 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012101016258 申请日:20120331
2013-10-23	公开	公开

共 50 条

[1]

多栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103187446A ,2013-07-03

[2]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109119475A ,2019-01-01

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

寺口信明 .

中国专利 :CN101901834B ,2010-12-01

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101162731A ,2008-04-16

[5]

双栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

O·H·多库马奇 ;

B·B·多里斯 ;

S·G·赫格德 ;

M·莱昂 ;

E·C·琼斯 .

中国专利 :CN1282233C ,2004-08-25

[6]

多栅极场效应晶体管及其制作方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN103137671B ,2013-06-05

[7]

绝缘栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

馆下八州志 .

中国专利 :CN100502006C ,2006-08-16

[8]

双栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

P·M·所罗门 ;

K·K·钱 ;

H·I·哈纳菲 .

中国专利 :CN1531103A ,2004-09-22

[9]

双栅极场效应晶体管及其制造方法 [P].

K·K·钱 ;

G·M·科昂 ;

M·莱昂 ;

R·A·罗伊 ;

P·M·所罗门 ;

杨敏 .

中国专利 :CN100337334C ,2004-07-07

[10]

场效应晶体管及其制造方法、互补场效应晶体管 [P].

笠井直记 ;

中原宁 ;

木村央 ;

深井利宪 .

中国专利 :CN100474611C ,2006-02-22

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