绝缘栅极场效应晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610005740.X

申请日：

2006-01-06

公开(公告)号：

CN100502006C

公开(公告)日：

2006-08-16

发明(设计)人：

馆下八州志

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2978 H01L218238 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-08-16	公开	公开
2006-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2017-03-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101705822869 IPC(主分类):H01L 27/092 专利号:ZL200610005740X 申请日:20060106 授权公告日:20090617 终止日期:20160106
2009-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

手塚勉 ;

丰田英二 .

中国专利 :CN101404257A ,2009-04-08

[2]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

木下敦宽 ;

古贺淳二 .

中国专利 :CN1909247A ,2007-02-07

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1262017C ,2001-04-04

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

手塚勉 .

中国专利 :CN102694023A ,2012-09-26

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

星真一 ;

伊藤正纪 ;

大来英之 ;

丸井俊治 .

中国专利 :CN101308796A ,2008-11-19

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

永久哲三 ;

吐田真一 .

中国专利 :CN103930978A ,2014-07-16

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

铃木龙太 .

日本专利 :CN120302682A ,2025-07-11

[9]

绝缘栅场效应晶体管及其制造方法 [P].

冈崎史晃 .

中国专利 :CN101246850A ,2008-08-20

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

藤森正成 ;

桥诘富博 ;

安藤正彦 .

中国专利 :CN100559625C ,2007-10-31

← 1 2 3 4 5 →