场效应晶体管及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202080102318.4

申请日：

2020-08-11

公开(公告)号：

CN115702487A

公开(公告)日：

2023-02-14

发明(设计)人：

万光星黄威森

申请人：

申请人地址：

518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

袁方

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN111048418A ,2020-04-21

[2]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN1560926A ,2005-01-05

[3]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李忠湖 ;

尹在万 ;

朴东健 ;

李哲 .

中国专利 :CN100492604C ,2005-08-31

[4]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

赫尔穆特·布雷克 .

中国专利 :CN1672263A ,2005-09-21

[5]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

D·曼杰 ;

T·施洛瑟 .

中国专利 :CN1971946A ,2007-05-30

[6]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

布赖恩·塞奇·莫 ;

迪克·肖 ;

史蒂文·萨普 ;

伊萨克·本库亚 ;

迪安·爱德华·普罗布斯特 .

中国专利 :CN1227418A ,1999-09-01

[7]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

安浩均 ;

林钟元 ;

文载京 ;

池弘九 ;

张宇镇 ;

金海天 .

中国专利 :CN1960002A ,2007-05-09

[8]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

温雅楠 ;

张露 ;

黄元琪 .

中国专利 :CN117954493A ,2024-04-30

[9]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

顾航 ;

周通 ;

周春颖 .

中国专利 :CN120603293A ,2025-09-05

[10]

场效应晶体管及其制造方法 [P].

李争刚 ;

袁刚 ;

彭楠 ;

杨帅 .

中国专利 :CN111029407A ,2020-04-17

← 1 2 3 4 5 →