掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202011553616.3

申请日：

2020-12-24

公开(公告)号：

CN114678360A

公开(公告)日：

2022-06-28

发明(设计)人：

崔锺武金成基熊文娟蒋浩杰李亭亭崔恒玮罗英

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

金铭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20201224
2022-06-28	公开	公开

共 50 条

[1]

掩埋沟道阵列晶体管及其制造方法 [P].

崔锺武 ;

金成基 ;

刘金彪 ;

杨涛 ;

贺晓彬 ;

李俊峰 ;

王垚 .

中国专利 :CN114678357A ,2022-06-28

[2]

双沟道MOSFET、掩埋沟道晶体管及制造方法 [P].

尹炅一 ;

吴容哲 ;

刘金彪 ;

贺晓彬 ;

王桂磊 ;

丁明正 .

中国专利 :CN111564495A ,2020-08-21

[3]

凹陷沟道阵列晶体管及其制造方法 [P].

里夏德·约翰内森·卢伊肯 ;

汉斯－彼德·莫尔 ;

马丁·波普 ;

帝尔·施洛瑟 ;

亚历山大·塞克 ;

斯蒂芬·斯莱斯塞克 ;

马克·斯查瑟 ;

罗尔夫·韦兹 .

中国专利 :CN100423235C ,2006-11-01

[4]

垂直双沟道晶体管及其制造方法 [P].

尹恩贞 ;

李成泳 ;

金旻相 ;

金成玟 ;

赵慧珍 .

中国专利 :CN101123275A ,2008-02-13

[5]

超短沟道晶体管及其制造方法 [P].

谢立 ;

张广宇 ;

时东霞 .

中国专利 :CN106653854A ,2017-05-10

[6]

应变沟道晶体管及其制造方法 [P].

丁明镇 .

中国专利 :CN1905211A ,2007-01-31

[7]

应力沟道晶体管及其制造方法 [P].

陈勇跃 ;

严磊 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN109599440A ,2019-04-09

[8]

晶体管及其制造方法 [P].

金善日 ;

朴永洙 ;

宋利宪 ;

金昌桢 ;

朴宰彻 ;

金尚昱 .

中国专利 :CN101527318A ,2009-09-09

[9]

五沟道鳍式晶体管及其制造方法 [P].

金光玉 .

中国专利 :CN1992340A ,2007-07-04

[10]

具有凹陷沟道的晶体管及其制造方法 [P].

赵哲晧 .

中国专利 :CN101211977B ,2008-07-02

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