在相变存储器中的写入方案

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180020918.7

申请日：

2011-04-26

公开(公告)号：

CN102870159A

公开(公告)日：

2013-01-09

发明(设计)人：

金镇祺

申请人：

申请人地址：

加拿大安大略省

IPC主分类号：

G11C700

IPC分类号：

G11C1300 G11C722

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-09	公开	公开
2014-10-29	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101706740292 IPC(主分类):G11C 7/00 专利申请号:2011800209187 变更事项:申请人变更前:莫塞德技术公司变更后:考文森智财管理公司变更事项:地址变更前:加拿大安大略省变更后:加拿大安大略省
2016-01-20	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101726773834 IPC(主分类):G11C 7/00 专利申请号:2011800209187 申请公布日:20130109
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101454117894 IPC(主分类):G11C 7/00 专利申请号:2011800209187 申请日:20110426

共 50 条

[1]

相变存储器的写入操作 [P].

埃尔南·A·卡斯特罗 ;

杰里米·赫斯特 ;

斯蒂芬·唐 .

中国专利 :CN102376363A ,2012-03-14

[2]

相变存储器的写入电路 [P].

江培嘉 ;

许世玄 ;

林烈萩 .

中国专利 :CN101335045B ,2008-12-31

[3]

相变存储器结构和写入相变存储器结构的方法 [P].

莫里斯·马里奥·尼古拉斯·斯托姆斯 ;

埃里克·玛利亚·范布塞尔 ;

雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯 ;

米歇尔·乔斯·范杜伦 .

中国专利 :CN102737711A ,2012-10-17

[4]

写入相变存储器元件的方法 [P].

陈逸舟 .

中国专利 :CN101777380A ,2010-07-14

[5]

在基于相变存储器的存储设备中减轻写入放大的方法和系统 [P].

李舒 ;

周平 .

中国专利 :CN110832590A ,2020-02-21

[6]

相变存储器的读取偏置方案 [P].

T·劳里 ;

W·帕金森 .

中国专利 :CN1836288B ,2006-09-20

[7]

用于相变存储器的双脉冲写入 [P].

D·考 ;

J·卡尔布 ;

B·克勒恩 .

中国专利 :CN102598143B ,2012-07-18

[8]

相变存储器的写入系统与方法 [P].

许世玄 ;

林烈萩 ;

江培嘉 ;

林文斌 .

中国专利 :CN101452743A ,2009-06-10

[9]

在非易失性存储器写入操作中的持续检验 [P].

陈建 .

中国专利 :CN101351849A ,2009-01-21

[10]

存储器中的冗余方案 [P].

维贾伊·P·阿杜苏米利 ;

尼古拉·特勒柯 .

中国专利 :CN101364448A ,2009-02-11

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