相变存储器的写入操作

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110219273.1

申请日：

2011-07-27

公开(公告)号：

CN102376363A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

埃尔南·A·卡斯特罗杰里米·赫斯特斯蒂芬·唐

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

G11C1606

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

宋献涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-14	公开	公开
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231931216 IPC(主分类):G11C 16/06 专利申请号:2011102192731 申请日:20110727
2014-10-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101706417963 IPC(主分类):G11C 16/06 专利申请号:2011102192731 申请公布日:20120314

共 50 条

[1]

相变存储器的写入电路 [P].

江培嘉 ;

许世玄 ;

林烈萩 .

中国专利 :CN101335045B ,2008-12-31

[2]

相变存储器结构和写入相变存储器结构的方法 [P].

莫里斯·马里奥·尼古拉斯·斯托姆斯 ;

埃里克·玛利亚·范布塞尔 ;

雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯 ;

米歇尔·乔斯·范杜伦 .

中国专利 :CN102737711A ,2012-10-17

[3]

写入相变存储器元件的方法 [P].

陈逸舟 .

中国专利 :CN101777380A ,2010-07-14

[4]

在相变存储器中的写入方案 [P].

金镇祺 .

中国专利 :CN102870159A ,2013-01-09

[5]

用于相变存储器的双脉冲写入 [P].

D·考 ;

J·卡尔布 ;

B·克勒恩 .

中国专利 :CN102598143B ,2012-07-18

[6]

相变存储器的写入系统与方法 [P].

许世玄 ;

林烈萩 ;

江培嘉 ;

林文斌 .

中国专利 :CN101452743A ,2009-06-10

[7]

相变存储器装置及操作相变存储器装置的方法 [P].

普拉迪帕·拉马尼 ;

约翰·D·波特 .

中国专利 :CN101978427B ,2011-02-16

[8]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361A ,2021-11-02

[9]

相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 [P].

彭文林 ;

刘峻 ;

杨海波 ;

刘广宇 ;

付志成 .

中国专利 :CN113594361B ,2024-05-24

[10]

相变存储器的数据写入方法及装置 [P].

孙健 ;

陈岚 ;

郝晓冉 .

中国专利 :CN103151072B ,2013-06-12

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