半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710734685.6

申请日：

2017-08-24

公开(公告)号：

CN109427677A

公开(公告)日：

2019-03-05

发明(设计)人：

刘继全

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-06	授权	授权
2019-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20170824
2019-03-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN111755513A ,2020-10-09

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

王江红 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

周鲁豪 ;

陆佳倩 ;

王青青 .

中国专利 :CN118969621A ,2024-11-15

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王江红 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

周鲁豪 ;

陆佳倩 ;

王青青 .

中国专利 :CN118969621B ,2025-10-21

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

谢欣云 .

中国专利 :CN108933107A ,2018-12-04

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

王超 ;

孙涛 .

中国专利 :CN117832282A ,2024-04-05

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN109216278B ,2019-01-15

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112151607A ,2020-12-29

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112309860A ,2021-02-02

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN111952367A ,2020-11-17

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

蔡巧明 ;

阎海涛 ;

马丽莎 .

中国专利 :CN115692412A ,2023-02-03

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