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半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411050130.6
申请日：
2024-07-31
公开(公告)号：
CN118969621B
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
王江红 吴永玉 陶然 周鲁豪 陆佳倩 王青青
申请人：
浙江创芯集成电路有限公司
申请人地址：
311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D64/68 H01L21/311 H01L23/522
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-15 公开 公开
2024-12-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/336申请日:20240731
2025-10-21 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王江红 ;
吴永玉 ;
陶然 ;
周鲁豪 ;
陆佳倩 ;
王青青 .
中国专利 :CN118969621A ,2024-11-15
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
韩秋华 ;
黄怡 ;
李超伟 .
中国专利 :CN102800699A ,2012-11-28
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王楠 .
中国专利 :CN111755513A ,2020-10-09
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
林玮 ;
S.斯科达斯 ;
T.A.沃 .
中国专利 :CN104218023B ,2014-12-17
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
谢欣云 .
中国专利 :CN108933107A ,2018-12-04
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
王超 ;
孙涛 .
中国专利 :CN117832282A ,2024-04-05
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李勇 .
中国专利 :CN109216278B ,2019-01-15
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN112151607A ,2020-12-29
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
刘继全 .
中国专利 :CN109427677A ,2019-03-05
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
周飞 .
中国专利 :CN112309860A ,2021-02-02
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