半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110136684.4

申请日：

2011-05-25

公开(公告)号：

CN102800699A

公开(公告)日：

2012-11-28

发明(设计)人：

韩秋华黄怡李超伟

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2329 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	授权	授权
2013-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101383323128 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011101366844 申请日:20110525
2012-11-28	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

林玮 ;

S.斯科达斯 ;

T.A.沃 .

中国专利 :CN104218023B ,2014-12-17

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

王江红 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

周鲁豪 ;

陆佳倩 ;

王青青 .

中国专利 :CN118969621A ,2024-11-15

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王江红 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

周鲁豪 ;

陆佳倩 ;

王青青 .

中国专利 :CN118969621B ,2025-10-21

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

冯威 ;

张伟 ;

孔祥飞 .

中国专利 :CN119233637A ,2024-12-31

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

何德彦 .

中国专利 :CN119497419A ,2025-02-21

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN108962990A ,2018-12-07

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘静 .

中国专利 :CN117542737A ,2024-02-09

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

周永昌 .

中国专利 :CN117352390A ,2024-01-05

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡华勇 ;

林益世 .

中国专利 :CN109037068A ,2018-12-18

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

杨晓蕾 ;

李勇 .

中国专利 :CN109148296B ,2019-01-04

← 1 2 3 4 5 →