半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710429642.7

申请日：

2017-06-08

公开(公告)号：

CN109037068A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

胡华勇林益世

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2910 H01L2978

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170608
2022-07-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20181218
2018-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡华勇 .

中国专利 :CN108962990A ,2018-12-07

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

王江红 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

周鲁豪 ;

陆佳倩 ;

王青青 .

中国专利 :CN118969621A ,2024-11-15

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

王江红 ;

吴永玉 ;

陶然 ;

周鲁豪 ;

陆佳倩 ;

王青青 .

中国专利 :CN118969621B ,2025-10-21

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

邹晓东 ;

胡友存 .

中国专利 :CN108573912B ,2018-09-25

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

戚德奎 .

中国专利 :CN108630713A ,2018-10-09

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

黄怡 ;

李超伟 .

中国专利 :CN102800699A ,2012-11-28

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

邹君玉 ;

李志国 ;

刘玉丽 ;

隋振超 ;

刘长宇 .

中国专利 :CN115132734A ,2022-09-30

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

林玮 ;

S.斯科达斯 ;

T.A.沃 .

中国专利 :CN104218023B ,2014-12-17

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

邹君玉 ;

李志国 ;

刘玉丽 ;

隋振超 ;

刘长宇 .

中国专利 :CN115132734B ,2025-04-25

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN112928165A ,2021-06-08

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